萨科微SL40T120FL型号的产品,功率(Pd)可达417W、集射极击穿电压(Vces)为1.2kV、集电极电流(Ic)为40A，集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)为1.8V，具有高性能、高可靠性与低成本的特点，有很强的市场竞争力！IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是由MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）和BJT(双极型晶体管)相结合的电压驱动式功率器件，既有MOSFET管输入阻抗高、控制功率小、易于驱动、控制简单、开关频率高的优势，又结合了双极晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。