原装出售MOS管：STL33N60DM2 和 AONS62922 表面贴装型 N 通道 MOSFET
产品描述
1、STL33N60DM2： N 沟道 600 V、典型值 0.115 Ω、21 A MDmesh™ DM2 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 8x8 HV 封装
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）： 150W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装：PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳： 8-PowerVDFN
2、AONS62922： MOSFET N-CH 120V 85A 5X6 8DFN
配置 ： 单路
晶体管类型 ： N沟道
功率耗散 ： 215W
充电电量 ： 46nC
栅极源极击穿电压 ： ±20V
击穿电压 ： 120V
极性 ： P-沟道
元件生命周期 ： Active
引脚数 ： 8Pin
高度 ： 0.95mm
长x宽/尺寸 ： 5.55 x 5.20mm
原产国家 ： America
原始制造商 ： Alpha & Omega Semiconductor Inc.
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） ： 7.1mΩ
零件状态 ： Active
漏源电压(Vdss) ： 120V
连续漏极电流 ： 85A
工作温度 ： -55℃~+150℃
安装类型 ： SMT
封装/外壳 ： DFN8
产品描述
1、STL33N60DM2： N 沟道 600 V、典型值 0.115 Ω、21 A MDmesh™ DM2 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 8x8 HV 封装
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）： 150W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装：PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳： 8-PowerVDFN
2、AONS62922： MOSFET N-CH 120V 85A 5X6 8DFN
配置 ： 单路
晶体管类型 ： N沟道
功率耗散 ： 215W
充电电量 ： 46nC
栅极源极击穿电压 ： ±20V
击穿电压 ： 120V
极性 ： P-沟道
元件生命周期 ： Active
引脚数 ： 8Pin
高度 ： 0.95mm
长x宽/尺寸 ： 5.55 x 5.20mm
原产国家 ： America
原始制造商 ： Alpha & Omega Semiconductor Inc.
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） ： 7.1mΩ
零件状态 ： Active
漏源电压(Vdss) ： 120V
连续漏极电流 ： 85A
工作温度 ： -55℃~+150℃
安装类型 ： SMT
封装/外壳 ： DFN8
