本次分享的是IGBT,全称为绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。目前仿真主要研究IGBT的温度场、电场分布的情况,所以对于很多类似电磁热耦合的模型都可以以此作为参考
;此外,部分学者会想研究其不同电场、热场下的热应力变化情况或者疲劳损伤效果。
本次发送的模型共有2个,部分有视频介绍及参考文献。
1.图1-4研究了多周期通电下IGBT的各
参数变化,0-2s通电2V,2-4s断电即为0V,以此类推,采用的物理场为固体传热、电流、固体力学、事件、疲劳等物理场和电磁热、热膨胀等多物理场。(才算18S时间模型内存达到700多兆)
2.图5-6利用温度和事件研究IGBT的各参数变化,本模型未加电场,而是考虑直接给热源,热源为0-0.2s给定,0.2-0.4s不给热源,以此持续10s,看最后温度及热流分布。
下期可能分享反应器、反应釜方向的仿真。
;此外,部分学者会想研究其不同电场、热场下的热应力变化情况或者疲劳损伤效果。
本次发送的模型共有2个,部分有视频介绍及参考文献。
1.图1-4研究了多周期通电下IGBT的各
参数变化,0-2s通电2V,2-4s断电即为0V,以此类推,采用的物理场为固体传热、电流、固体力学、事件、疲劳等物理场和电磁热、热膨胀等多物理场。(才算18S时间模型内存达到700多兆)
2.图5-6利用温度和事件研究IGBT的各参数变化,本模型未加电场,而是考虑直接给热源,热源为0-0.2s给定,0.2-0.4s不给热源,以此持续10s,看最后温度及热流分布。
下期可能分享反应器、反应釜方向的仿真。