本次分析可以认为是上次测评的一个衍生，包含如下内容：
1.SNIA PTS 1.1 Evaluation
2.NAND Flash Chips拆解和晶圆的材料表征

这次直接快进到深度分析，没有软件跑分（可自行查看上次的测试），无兴趣的朋友可以快进到最后材料表征

1.IOPS Test
本测试项目为使用不同的随机读写比例：
（100%/95%/65%/50%/35%/5%/0%）
以及不同的块大小：1M/128K/64K/32K/16K/8K/4K/512B
对硬盘进行25轮读写测试，当连续5轮的0%Read 4KiB分布在20%振幅内，且其斜率不超过5%为进入稳定态。

可见收敛于([4, 5, 6, 7,8])，([53288, 52569, 59478,58527, 53867])
均值为55546。

（2）Latency Test
本测试项目为使用不同的随机读写比例：（100%/65%/0%）
以及不同的块大小：8K/4K/512B
对硬盘进行25轮读写测试，当连续5轮的0%Read 4KiB分布在20%振幅内，且其斜率不超过5%为进入稳定态。

收敛于([2, 3, 4, 5,6])

（3）Throughput Test
本测试项目为使用不同的连续读写比例：（100%/0%）
以及不同的块大小：1024K/64K/8K/4K/512B
对硬盘进行25轮读写测试，当连续5轮的0%Read 4KiB分布在20%振幅内，且其斜率不超过5%为进入稳定态。

收敛于：([3, 4, 5, 6, 7])，([639236, 642207,639196, 638672, 625019]) (KiB/s)

可见致钛的性能还是十分强大的，补充几个图老图

（1）理想散热条件全盘空间连续读写
（Full Disk Size Sequential Read and Write）
在Linux环境下，使用fio对Physical Drive进行直接的读写，得到最准确的数据，使用专业制图软件得到如下结果

（2）极端差散热条件全盘空间连续读取
本测试和上面的测试方法一样，区别在于不使用任何的主动/被动散热方案，可直观的反映硬盘在过热情况下的降频策略

可见出现阶梯式下降和回复。本测试一次性对全盘容量进行满速读取，故降速明显，但日常使用中这种情况几乎不会碰到，不必过于担心该盘的散热问题。

（3）全盘跨度随机写入测试
（Full LBA Span Random Write）
在Linux环境下，使用fio对Physical Drive进行全盘跨度4KiB的块大小的随机写入，队列深度32，4线程IO，得到最准确的数据，使用专业制图软件得到如下结果：

可见PC005的平均iops（input and output per second）达到了18.1k，在64层TLC中属于领先水平，且延迟分布较为集中，综合表现较好。
（4）全盘跨度随机读取测试
（Full LBA Span Random Read）
在Linux环境下，使用fio对Physical Drive进行全盘跨度4KiB的块大小的随机读取，队列深度32，4线程IO，得到最准确的数据，使用专业制图软件得到如下结果：

（5）Smartmontool info

2.Xtacking NAND Flash 材料表征
长江存储是极其注重科技研发的公司，从无到有的路并不好走，如果比较关心大陆半导体发展的话会发现，Xtacking的研发也不是一蹴而就，2014年长江存储（Yangtze Memory Technologies Co.Ltd,Wuhan, China）就经常联合中科院微电子所在IEEE发表论文。
本次首秀颗粒 Xtacking 结构相当优秀，在一众同代3D NAND Flash产品中有相当低的延迟表现。作为测评的延伸，笔者对长江颗粒进行了几项简单的材料表征

（1）高分辨率光镜
酸煮颗粒进行处理，暴露晶圆，制样后使用高分辨率光镜观察表面，得到如下结构：

（2）扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）
整个取出晶圆，扫描电镜对晶圆的横面和断面进行拍摄，得到如下图像：

注：本人为FLYX Group的创立人和主要负责人，本文全部材料表征图像版权归FLYX Group所有，未经授权严禁任何形式的转载。（仪器：Hitachi日立 S-4800冷场发射扫描电子显微镜）

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