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2024-06-20
SI4559EY-T1-E3场效应管一款N+P沟道SOP8封装的晶体管
意法半导体吧
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明:N+P沟道,±60V,正向电流6.5A,反向电流5A,导通...
2024-06-20
SI4435DY-T1-E3场效应管一款P沟道SOP8封装的晶体管
英飞凌吧
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导...
2024-06-20
SI3442CDV场效应管一款N沟道SOT23-6封装的晶体管
英飞凌吧
SI3442CDV (VB7322)参数说明:N沟道,30V,6A,导通电阻30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,门源电...
2024-06-20
Si2342DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装N沟道的MOS管应用...
W14739939081的个人主页
2024-06-20
Si2399DS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
mos管吧
Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V...
2024-06-19
SI9945AEY-T1-E3-VB一种2个N沟道SOP8封装MOS管
W14739939081的个人主页
2024-06-19
SI4559EY-T1-E3场效应管一款N+P沟道SOP8封装的晶体管
意法半导体吧
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明:N+P沟道,±60V,正向电流6.5A,反向电流5A,导通...
2024-06-19
SI4435DY-T1-E3场效应管一款P沟道SOP8封装的晶体管
英飞凌吧
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导...
2024-06-19
Si2342DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装N沟道的MOS管应用...
W14739939081的个人主页
2024-06-19
SI3442CDV-VB一款N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析
英飞凌吧
SI3442CDV (VB7322)参数说明:N沟道,30V,6A,导通电阻30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,门源电...
2024-06-19
Si2399DS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
mos管吧
Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V...
2024-06-18
SI2333CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装P沟道的MOS管应用...
W14739939081的个人主页
2024-06-18
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
意法半导体吧
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4....
2024-06-18
SI2305CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装P沟道的MOS管应用...
W14739939081的个人主页
2024-06-18
SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
英飞凌吧
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4....
2024-06-18
SI2318CDS-T1-GE3场效应管一款N沟道SOT23封装的晶体管
英飞凌吧
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:6.5A;...
2024-06-18
SI2309CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
mos管吧
SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)参数说明:P沟道,-60V,-5.2A,导通电阻40mΩ@10V,48mΩ@4....
2024-06-17
SI2305ADS-T1-GE3-VB一款SOT23封装P沟道的MOS管应用...
W14739939081的个人主页
2024-06-17
SI2300DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装N沟道的MOS管应用...
W14739939081的个人主页
2024-06-17
SI2302DS-T1-GE3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
意法半导体吧
SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,...
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