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国产芯片替代信息推荐,芯片市场行情分享!

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    本宏电子是一家专业的元器件代理商和方案提供商!公司是中国衡器协会 会员,作为参展商参加了自2007年以来历届中国国际衡器展,公司以销售美国Cirrus、TI公司 以及芯海、海芯公司的A/D 转换芯片为主,并提供基于这些芯片的完整解决方案和技术支持。 目前本宏科技已经成为国内外众多衡器客户的长期合作伙伴! 海芯公司信号采集ADC HX530: 24 Bit ADC,2-ch,低成本,>30000分度电子 HX710: 24 Bit ADC,1-ch,低成本(带数字温度传感器) HX711: 24 Bit ADC,2-ch,低成本,>10
    Ousemi 00:00
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    珠海博雅工业Flash,可直接替代同规格GD、华邦、旺宏Nor Flash,性价比高。 BY25Q16ESSIG、BY25D16ASSIG 与GD25Q16E、W25Q16JV、MX25L1606E等完全兼容 BY25Q32ESSIG、BY25Q32BSSIG 与GD25Q32C、W25Q16FV、MX25L3206E等完全兼容 BY25Q64ESSIG、BY25Q64ASSIG 与GD25Q64C、W25Q64FV、MX25L6406E等完全兼容 BY25Q128ESSIG 与GD25Q127C、W25Q128FV、MX25L12835E等完全兼容 BY25Q256FSFIG 与GD25Q256E、W25Q256J、MX25L25673G等完全兼容 BY25QM512FSEIG ......等等
    Ousemi 6-4
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    川土微大量库存CA-IS3082WX、CA-IS3092W,CA-IS3740LB,CA-IS3741HW,CA-IS3722HS,CA-IS3742HW CA-IS3731HN,CA-IS3522HGP,CA-IS3720HS。 应用 • 工业自动化 • 电机控制 • 医疗电子 • 隔离开关电源 • 太阳能逆变器 • 隔离 ADC, DAC
    Ousemi 6-1
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    工业RFID载码体上推荐Fujitsu推出的MB89R118C FRAM Advantages for RFID 1、Fast Data Writing and Anti-collision 2、Large Capacity Memory: 256, 2kBtyes, and more 3、Frequent Write and Read Capability: 101times 4、Radiation Hardness for Sterilization : more than 25kGy MB89R118C1-DIAP15 MB89R118C1-DIAP15-P1
    Ousemi 6-1
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    创耀TR8253L国产EtherCAT从控制器,P2P替代LAN9252和LAN9253,大陆第一家拿到德国倍福授权并推出产品,而且已经进入量产的品牌。 TR8253L是一款带有双集成以太网PHY的2/3端口EtherCAT®从控制器,每个以太网PHY包含一个全双工TX收发器并支持100 Mbps(100BASE-TX)操作。TR8253L支持HP Auto-MDIX,允许使用直连或交叉LAN电缆。100BASE-FX通过外部光纤收发器来获得支持。通过额外的MII端口连接到外部PHY,该器件也可配置为3端口从器件。作为一个三通阀门支持菊花链拓扑或连
    Ousemi 6-1
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    FTR-K3AB012W-PV富士通继电器现货 FEATURESl SPST 20A and #250 tab terminal type is also availablel Low coil power (780mW)l Type of service: continuous dutyl Cadmium free contactsl SAFETY STANDARDS UL, CSA, VDE,CQC approvedl RoHS compliant Please see page 6 for more information
    Ousemi 5-31
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    CA-IS1200U、CA-IS1200G器件是为基于分流电阻的电流检测而优化的高精度隔离式运放。 低的失调和增益误差以及相关温漂能够在全工作温度范围内保持测量的精度。 CA-IS1200U、CA-IS1200G器件采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层,支持符合UL 1577认证的高达3750 VRMS的电气隔离。 该技术将高低压域分开从而防止低压器件被损坏,同时提供低辐射和高磁场抗扰度。高共模瞬态抗扰度(CMTI)意味着CA-IS1200器件在隔离层之间正确地传递信号,适合要求高压、大功率开关的
    Ousemi 5-30
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    SC9689完全对标AD9689主要性能 n JESD204B(子类 1)编码串行数字输出 每通道支持高达15 Gbps的通道速率 n 2.6 GSPS 时每通道总功耗:1 W(默认) n 0.975 V、1.8V 和2.5 V直流电源供电 n 模拟输入全功率带宽:9 GHz (−3 dB) n 幅度检测位支持实现高效 AGC
    Ousemi 5-29
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    CH392T,SPI/串口,内置PHY、10M自适应切换,内部集成TCP/IP协议栈,8 SOCKET,收发缓存32KB+6KB,供电电压3.3V,封装TSSOP20。低功耗,内置以太网匹配电阻,命令化控制,传输距离可达200m。
    Ousemi 5-29
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    TPT485E、TPT485N为智能电表量身定制,高鲁棒性、低待机功耗的RS485产品。 通讯速率:500Kbps 极性翻转时间100ms,满足SGCC国网标准 支持Fail-safe接收模式(Open,Short,Terminated) 支持RS485的256节点组网 电压范围:4.5V to 5.5V RS485总线耐压:±18V 共模输入电压:±15V RS485总线保护能力,满足SGCC国网标准: ±8kV HBM人体模式 ±12kV IEC61000-4-2接触放电模式 产品拥有热插拔功能和高ESD保护能力,可提升系统可靠性和鲁棒性;支持256节点组网;强劲的产品性能,可实现TPT485x
    Ousemi 5-28
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    芯动神州DAC、ADC行业应用: 通信系统:分集无线电系统、基站·GPS/北斗接收机、I/Q解调系统、光纤通信 仪器仪表:示波器、频谱仪、网络分析仪、5G测试仪、自动化测试设备ATE 电力电子:输电终端、配网终端、数据采集系统、继电保护设备DTU/FTU/TTU/RTU 轨道交通:信号采集系统、应答器、车门控制系统、车站呼叫系统、站台监控系统 过程控制与工业自动化:集散控制系统DCS、可编程逻辑控制器PLC、安全联锁系统SIS、现场总线控制系统FCS、现场仪表
    Ousemi 5-23
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    4/8通道同步采样,低噪声24位模数转换器ADSD1274、ADSD1278,软硬件兼容替代TI的ADS1274和ADS1278。 可达每秒144k采样速率 (SPS)的(Δ-Σ)模数转换器(ADC), 允许4或8通道同步采样。芯片采用相同的封装,可以向下扩展。高分辩率的模数转换器在音频应用中有着大的可用带宽,但偏移量和漂移显著小于同类工业产品。ADSD1274与ADSD1278适用于要求严格的直流与交流指标的高精度工业测量。
    Ousemi 5-23
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    TPAFE51760内置高精度基准,工作温度支持-40°C to +125°C,产品广泛应用于电力自动化领域中的DTU、FTU、MU等装置。 TPAFE51760产品特性 16Bit、16 通道、集成模拟前端的ADC 内置双路逐次比较型ADC,同步采样,吞吐率达1MSPS 独立的可编程模拟输入范围: 真正的双极性: ±10V, ±5V, ±2.5V 供电电压: 模拟输入5V; VDRIVE供电电压1.71 V~VCC; 高度集成的模拟前端: 1MΩ 模拟输入阻抗; 可编程增益放大器; 模拟低通滤波器; 内置高精度基准和基准缓冲器; 双通道16Bit 1MSPS
    Ousemi 5-22
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    The TPA191 series of zero-drift, bi-directional currentsense amplifier can sense voltage drops across shunts atcommon-mode voltages from −0.3 V to 36 V, independentof the supply voltage. Five fixed gains are available:20 V/V, 50 V/V, 75 V/V, 100 V/V, and 200 V/V. Theintegration matched gain resistor network minimizes gainerrors and reduces the temperature drift. The low offsetof the zero-drift architecture enables current sensing withthe maximum drops across the shunt as low as 10-mVfull-scale. The TPA191 devices operate from a single 2.7-V to 36-V power supply, with drawing a typical of 80-
    Ousemi 5-20
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    CA-IS3082WX是一系列隔离式RS-485/RS-422收发器,电气隔离等级高,能够满足工业应用场景严苛的要求。该系列器件内部的逻辑输入与输出缓冲器之间通过二氧化硅(SiO2)绝缘栅隔离,能够承受高达5000VRMS(60s)的电气隔离以及具有±150kV/ps的典型CMTI性能。绝缘栅阻断了逻辑侧与总线侧的地环路,有助于降低具有较高地电势差的端口间干扰,确保数据的正确传输。CA-IS3082WX用于支持多节点数据通信总线,最高通信速率为10Mbps,最多允许同一总线上挂接256个收
    HOBOSEMI 5-16
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    TPD160221产品优势 灵活使用,通道间skew低至15ps 在某些终端设备中,通常会利用多个高速开关配置成多路通道,但不同芯片之间skew差异较大。TPD160221内置两组双向差分通道和4:2开关,可组合成6:3或8:4高速开关,适用于USB3和DP1.3等应用,其通道间skew可降至15ps。
    Ousemi 5-16
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    Supply Voltage: 2.5V to 6.0V Low Supply Current: typical 600μA per channel Rail to Rail Input and Output Bandwidth: typical 6 MHz Slew Rate: typical 4.5V/μs Excellent EMI Suppress Performance Offset Voltage: maximum ±3mV Offset Voltage Temperature Drift: typical 1 μV/°C Low Noise: typical 19 nV/√Hz at 1kHz High Output Capability: typical 100mA TP1561AL1-TR -40 to 125°C SOT23-5 TP1561AL1-CR -40 to 125°C SOT353 (SC70-5) TP1561AUL1-CR -40 to 125°C SOT353 (SC70-5) TP1562AL1-SR -40 to 125°C SOP8 TP1562AL1-TSR -40 to 125°C TSSOP8 TP1562AL1-VR -40 to 125°C MSOP8 TP1562AL1-FR -40 to 125°
    Ousemi 5-14
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    TR8253L提供双集成以太网PHY,每个PHY均提供全双工100BASE-TX收发器,支持100Mbps运行。LAN9253支持HP Auto-MDIX,所以可以使用直连或交叉LAN电缆。TR8253L包括一个3端口EtherCAT从控制器(带8KB双端口存储器 (DPRAM))、8个SyncManager、8个现场总线内存管理单元 (FMMU) 和一个64位分布式时钟。 TR8253L国产替代LAN9252,LAN9253。 集成PHY的新型EtherCAT从站控制器。 主要用在马达控制、过程/工厂自动化、通信模块、接口卡、传感器、水和气动阀门系统等。
    Ousemi 5-14
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    TR8253L国产替代LAN9252,LAN9253。集成PHY的新型EtherCAT从站控制器。 #以太网##LAN9253##9252以太网#
    HOBOSEMI 5-13
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    MH2103CCCT6 MH2103ACCT6 MH2103ARPT6 MH2103AVET6 MH2103AVGT6 MH2103AZET6 主频216兆 内置的存储器包括:最大1024K Flash,96K Sram 该系列内置了多达2个高级定时器、10个通用定时器、2个基本定时器、3个12位的ADC、2个12位的DAC,还包含标准和先进的通信接口包括:3个SPI接口、2个I2S接口、2个I2C接口、5个U(S)ART接口、1个USB2.0全速串行通信接口、1个CAN总线控制器、1个SDIO接口
    Ousemi 5-11
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    TPAFE5160SI08-QP7R,P2P兼容替代AD7606BSTZ,入国网白名单,可提供工业和自动化第五电子研究所认证的三要素国产化证明。 TPAFE5160SI08-QP7R特性 8通道同步采样输入 单一5V模拟电源和1.71至5V VDRIVE 16位ADC,所有通道350 kSPS 双极输入范围:±10V、±5V 模拟输入箝位保护 MΩ模拟输入阻抗 片上参考和缓冲 芯片上过采样数字滤波器 SPI兼容接口 温度范围:-40℃~ 125℃ 封装:LQFP10X10-64
    Ousemi 5-11
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    GD32F303CBT6的功能特点 1、高性能处理能力:GD32F303CBT6采用了Cortex-M4内核,主频高120MHz,可满足复杂的应用需求。 2、低功耗设计:GD32F303CBT6采用了先进的功耗管理技术,通过硬件和软件优化,实现了优秀的低功耗特性。它具有多种低功耗模式可供选择,以降低功耗并延长电池寿命。 3、丰富的外设:GD32F303CBT6具有丰富的外设,包括多个通用定时器,多个通用串行接口,多个SPI接口,多个I2C接口等。这些外设使其具备了广泛的应用能力,可以满足不同领域
    Ousemi 5-6
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    SMC5351可编程CMOS时钟发生器|兼容替代SILICON LABS芯科Si5351A、Si5351B、Si5351C SMC5351内置高线性压控石英晶体振荡器(VCXO),能以单一时钟IC取代传统的多器件锁相环(PLL)解决方案,与其他时钟产品相比,SMC5351以0ppm误差任意合成8个特定的、非整数倍关系高达200MHz的频率,提供两倍的频率弹性,可降低80%的抖动和35%的功耗,大大节省电路板空间和成本,为消费电子、数据通信、电信和计算等应用的设计开发带来极大的灵活性。 SMC5351核心优势:低抖动,低功耗,
    Ousemi 5-6
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    适合行业:接拼屏,IPC,打印机,光模块,PAD,电视,等方案。
    Ousemi 5-3
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    3peak思瑞浦汽车电子芯片满足车规产品可靠性测试和国际标准要求,如 AEC-Q100,IATF16949,ISO26262,ISO9001,ISO22301等应用于:T-Box、车载娱乐系统、车载充电机OBC、高低压直流变换系统、牵引电机驱动系统、动力电池管理系统BMS、电动助力转向系统 EPS、激光雷达、车身域控制器、车载摄像头。 3peak车规级芯片包含信号链产品模拟开关、比较器、运算放大器、通信接口(RS485/232、CAN)、数据转换器电源管理产品DCDC、驱动器产品、LDO、功率开关、电源监控 3peak车规
    HOBOSEMI 5-2
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    低噪声24位模数转换器ADSD1246/ADSD1247/ADSD1248完美替代Ti的ADS1246/ADS1247/ADS1248 可编程数据速率:高达 2kSPS 针对所有数据速率的单周期建立设置 在 20SPS 时实现 50Hz 和 60Hz 谐波抑制 具有 8 个独立可选择输入的模拟多路复用器 低噪声可编程增益放大器:PGA=128 时 48nVRMS 两个匹配可编程激励电流源 集成低漂移 2.048V 基准电压:10ppm/°C 传感器失效检测 8 个通用输入/输出接口 内置温度传感器: 电源和基准电压监控 自校准和系统校准 兼容SPI 接口 模拟电源:单极(2.7V t
    Ousemi 5-1
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    FeRAM嵌入式 RFID LSI 的优点是存储器密度大,数据写入速度快。如果我们的RFID LSI用于标签中记录工厂中产品的工艺流程历史,则可以缩短生产时间。此外,一些 RFID LSI产品具有无线和SPI 的双接口。该产品可以通过 SPI接口进行快速处理,并且可以在断电期间使用无线接口读取重要数据。 HF band13.56MHz ISO/IEC15693 1万亿次 MB89R112 8Kbyte MB89R118C 2Kbyte MB89R119B 256byte
    Ousemi 5-1
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    KY32C07126、KY32C03126可软硬件直接替代ADuC7124BCPZ126、ADuC7126BSTZ126、ADuC7126BSTZ126I、ADuC7126BSTZ126IRL。 KY32C07126系列具有快速多通道12-bit逐次逼近型ADC,支持单端、差分和伪差分模式。ADC输入电压范围为0V至Vref,其中Vref可配置使用芯片Vrefpin,或片内2.5VBandGapReference。注意当配置为使用芯片Vrefpin提供ADC参考电压时,最大不超过AVDD5.5V。同时ADC可搭配温度传感器on-chipTemperatureSensor和电压比较器Voltagecomparator使用。
    Ousemi 4-30
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    一、RS-485/422通讯接口芯片: 3V-5.5V输入电压范围,多数据速率可选,1/8单位负载,±30kVESD保护,±15V共模电压范围和±30V故障保护电压范围。CA-IF4820HS、CA-IF4820HM、CA-IF4820HD、CA-IF4820FS、CA-IF4820FD、CA-IF4820FM。 二、隔离接口 川土微隔离接口类芯片,高达5KVRMS的隔离电压,支持高达±30V共模电压范围和±70V故障保护电压范围,速率支持1Mbps。 隔离CAN--CA-IS3050G、CA-IS3050W、CA-IS3050U、CA-IS3052W、CA-IS3052G。 替代TI和ADI的ISO1042DW、ISO1042DWV、ISO1050DU、ADM3050EBRIZ、ISO1050DW
    Ousemi 4-29
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    MB89R118C1-DIAP15-P1 HF band 13.56MHz , 2Kbyte内存 ISOIEC15693通信规格 1万亿次 以上稳定擦写 储器构成该产品由内置2K字节FRAM的内部存储器、2K字节的用户区、48字节的系统区构成,存储器按照每8个字节为1个Block来分配Block号,用户区从00H到F9H共256Block,系统区从FAH到FFH共6Block。表1所示为存储器的构成。针对用户区的特定Block,可通过命令指定Block地址进行读写操作。但针对存放芯片固有ID(64位UID)和各Block安全状态(Lock与否)等的系统区,则只能进行读出操作
    Ousemi 4-29
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    SC1464是一款16通道16bit 1MSPS采样速率双路同步采样ADC。SC1464采用5 V单电源供电,可以处理±10 V、±5 V和±2.5 V真双极性输入信号,同时每对通道均能以高达1MSPS 的吞吐速率和92dB SNR采样。 应用场景: 电力线路监测 保护继电器 多相电机控制 仪表和控制系统 数据采集系统(DAS) SC1467GCOUMZ -40~85℃ LQFP-64 SC1464KCOUMZ -40~125℃ LQFP-80
    Ousemi 4-29
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    FRAM铁电存储器应用市场 物联网(Lot) 汽车 工业 (用于设施) 工业 (用于基础设施) 智能电表 消费类 医疗类 联网 MB85R8M1TAFN-G-JAE2,MB85R8M1TABGL-G-JAE1 MB85R8M2TAFN-G-JAE2,MB85R8M2TABGL-G-JAE1 MB85R8M2TPBS-M-JAE1 MB85R4M2TFN-G-JAE2 MB85R4001ANC-GE1 MB85R4002ANC-GE1 MB85R1001ANC-GE1 MB85R1002ANC-GE1 MB85R256FPFCN-G-BNDE1
    HOBOSEMI 4-29
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    TPU25401Q是一款集成5个Buck和5个LDO的PMIC,其输出电压、上下电时序均可自定义配置,适用于需要多路Buck和LDO的应用。其中Buck 1~Buck 4可提供0.6V~2.55V的可编程输出电压及最高4.5A的输出电流;Buck 5提供0.6V~3.8V的可编程输出电压及最高3.5A的输出电流。Buck 1和2、3和4可配置为双相合并模式以提供高达9A的输出电流。3路LDO每路可输出300mA电流,另两路LDO可输出10mA电流。同时,TPU25401Q还具有上电复位输出、输出电流限制保护、输出短路和过载保护以及过热保护等功
    Ousemi 4-29
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    TPE15017产品特性 兼容IEEE 802.3 af 标准 100V 0.56Ω PD 输入热插拔 MOSFET开关 支持无辅助绕组原边反馈(PSR)有源钳位反激 支持光耦隔离副边反馈(SSR)有源钳位反激 集成0.36Ω反激控制MOSFET开关和 0.78Ω有源钳位MOSFET开关 高达650kHz的可编程开关频率 1.5A开关电流限制 PSR模式下输出二极管补偿 可编程软启动时间 启动和保护期间的频率折返 自动维持电源特性(MPS) 双重抖频功能降低EMI 打嗝OLP, OVP and OTP 工作温度范围:-40℃ 至 +125℃ 封装:QFN3X4-19-A
    Ousemi 4-28
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    TPE15017是一个通过以太网(PoE)供电的设备(PD),集成PD接口和主动钳主侧调节(PSR)飞回电源转换器。该设备支持IEEE 802.3af标准接口和小型13-W隔离PoE应用程序的目标。 PD接口具有IEEE 802.3af的所有功能,包括检测、分类、涌入电流、运行电流限制和100-V热插拔MOSFET。
    Ousemi 4-27
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    CA-IS3092W 该芯片是一款集成隔离DC-DC ,高达 5KVrms的隔离电压,速率支持500Kbps。 CA-IS3062W 该芯片是一款集成隔离DC-DC,高达 5KVrms的隔离电压,速率支持1Mbps。 CA-IS1311G是为电压检测而优化的高精度隔离式运放。低的失调和增益误差以及相关温漂能够在全工作温度范围内保持测量的精度。 CA-IS3211是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动,MOSFET、IGBT和 SiC 器件。 CA-IS37XX系列高达 5KVRMS的隔离电压,支持最大150Mbps速率,低传播延迟和脉冲宽度失
    Ousemi 4-27
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    1.性能改进 由于快速的写入速度,即使在突然停电的情况下,FeRAM可以保存写入数据。不仅如此,FeRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时,EEPROM和闪存需要高电压,从而比FeRAM消耗更多的功率。因此,通过使用FRAM,在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。 总之,FeRAM可以: 在突然停电时FeRAM可以保存写入数据 可以进行频繁的数据记录 可以延长电池供电设备的电池寿命 2.降低总成本 在工厂中将参数写入每个产品的情况下,由于FeRAM与EEP
    Ousemi 4-27
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