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1珠海博雅工业Flash,可直接替代同规格GD、华邦、旺宏Nor Flash,性价比高。 BY25Q16ESSIG、BY25D16ASSIG 与GD25Q16E、W25Q16JV、MX25L1606E等完全兼容 BY25Q32ESSIG、BY25Q32BSSIG 与GD25Q32C、W25Q16FV、MX25L3206E等完全兼容 BY25Q64ESSIG、BY25Q64ASSIG 与GD25Q64C、W25Q64FV、MX25L6406E等完全兼容 BY25Q128ESSIG 与GD25Q127C、W25Q128FV、MX25L12835E等完全兼容 BY25Q256FSFIG 与GD25Q256E、W25Q256J、MX25L25673G等完全兼容 BY25QM512FSEIG ......等等
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1CH392T,SPI/串口,内置PHY、10M自适应切换,内部集成TCP/IP协议栈,8 SOCKET,收发缓存32KB+6KB,供电电压3.3V,封装TSSOP20。低功耗,内置以太网匹配电阻,命令化控制,传输距离可达200m。
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0TPT485E、TPT485N为智能电表量身定制,高鲁棒性、低待机功耗的RS485产品。 通讯速率:500Kbps 极性翻转时间100ms,满足SGCC国网标准 支持Fail-safe接收模式(Open,Short,Terminated) 支持RS485的256节点组网 电压范围:4.5V to 5.5V RS485总线耐压:±18V 共模输入电压:±15V RS485总线保护能力,满足SGCC国网标准: ±8kV HBM人体模式 ±12kV IEC61000-4-2接触放电模式 产品拥有热插拔功能和高ESD保护能力,可提升系统可靠性和鲁棒性;支持256节点组网;强劲的产品性能,可实现TPT485x
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2The TPA191 series of zero-drift, bi-directional currentsense amplifier can sense voltage drops across shunts atcommon-mode voltages from −0.3 V to 36 V, independentof the supply voltage. Five fixed gains are available:20 V/V, 50 V/V, 75 V/V, 100 V/V, and 200 V/V. Theintegration matched gain resistor network minimizes gainerrors and reduces the temperature drift. The low offsetof the zero-drift architecture enables current sensing withthe maximum drops across the shunt as low as 10-mVfull-scale. The TPA191 devices operate from a single 2.7-V to 36-V power supply, with drawing a typical of 80-
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0Supply Voltage: 2.5V to 6.0V Low Supply Current: typical 600μA per channel Rail to Rail Input and Output Bandwidth: typical 6 MHz Slew Rate: typical 4.5V/μs Excellent EMI Suppress Performance Offset Voltage: maximum ±3mV Offset Voltage Temperature Drift: typical 1 μV/°C Low Noise: typical 19 nV/√Hz at 1kHz High Output Capability: typical 100mA TP1561AL1-TR -40 to 125°C SOT23-5 TP1561AL1-CR -40 to 125°C SOT353 (SC70-5) TP1561AUL1-CR -40 to 125°C SOT353 (SC70-5) TP1562AL1-SR -40 to 125°C SOP8 TP1562AL1-TSR -40 to 125°C TSSOP8 TP1562AL1-VR -40 to 125°C MSOP8 TP1562AL1-FR -40 to 125°
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3MH2103CCCT6 MH2103ACCT6 MH2103ARPT6 MH2103AVET6 MH2103AVGT6 MH2103AZET6 主频216兆 内置的存储器包括:最大1024K Flash,96K Sram 该系列内置了多达2个高级定时器、10个通用定时器、2个基本定时器、3个12位的ADC、2个12位的DAC,还包含标准和先进的通信接口包括:3个SPI接口、2个I2S接口、2个I2C接口、5个U(S)ART接口、1个USB2.0全速串行通信接口、1个CAN总线控制器、1个SDIO接口
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3TPAFE5160SI08-QP7R,P2P兼容替代AD7606BSTZ,入国网白名单,可提供工业和自动化第五电子研究所认证的三要素国产化证明。 TPAFE5160SI08-QP7R特性 8通道同步采样输入 单一5V模拟电源和1.71至5V VDRIVE 16位ADC,所有通道350 kSPS 双极输入范围:±10V、±5V 模拟输入箝位保护 MΩ模拟输入阻抗 片上参考和缓冲 芯片上过采样数字滤波器 SPI兼容接口 温度范围:-40℃~ 125℃ 封装:LQFP10X10-64
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2GD32F303CBT6的功能特点 1、高性能处理能力:GD32F303CBT6采用了Cortex-M4内核,主频高120MHz,可满足复杂的应用需求。 2、低功耗设计:GD32F303CBT6采用了先进的功耗管理技术,通过硬件和软件优化,实现了优秀的低功耗特性。它具有多种低功耗模式可供选择,以降低功耗并延长电池寿命。 3、丰富的外设:GD32F303CBT6具有丰富的外设,包括多个通用定时器,多个通用串行接口,多个SPI接口,多个I2C接口等。这些外设使其具备了广泛的应用能力,可以满足不同领域
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1SMC5351可编程CMOS时钟发生器|兼容替代SILICON LABS芯科Si5351A、Si5351B、Si5351C SMC5351内置高线性压控石英晶体振荡器(VCXO),能以单一时钟IC取代传统的多器件锁相环(PLL)解决方案,与其他时钟产品相比,SMC5351以0ppm误差任意合成8个特定的、非整数倍关系高达200MHz的频率,提供两倍的频率弹性,可降低80%的抖动和35%的功耗,大大节省电路板空间和成本,为消费电子、数据通信、电信和计算等应用的设计开发带来极大的灵活性。 SMC5351核心优势:低抖动,低功耗,
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0低噪声24位模数转换器ADSD1246/ADSD1247/ADSD1248完美替代Ti的ADS1246/ADS1247/ADS1248 可编程数据速率:高达 2kSPS 针对所有数据速率的单周期建立设置 在 20SPS 时实现 50Hz 和 60Hz 谐波抑制 具有 8 个独立可选择输入的模拟多路复用器 低噪声可编程增益放大器:PGA=128 时 48nVRMS 两个匹配可编程激励电流源 集成低漂移 2.048V 基准电压:10ppm/°C 传感器失效检测 8 个通用输入/输出接口 内置温度传感器: 电源和基准电压监控 自校准和系统校准 兼容SPI 接口 模拟电源:单极(2.7V t
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0FeRAM嵌入式 RFID LSI 的优点是存储器密度大,数据写入速度快。如果我们的RFID LSI用于标签中记录工厂中产品的工艺流程历史,则可以缩短生产时间。此外,一些 RFID LSI产品具有无线和SPI 的双接口。该产品可以通过 SPI接口进行快速处理,并且可以在断电期间使用无线接口读取重要数据。 HF band13.56MHz ISO/IEC15693 1万亿次 MB89R112 8Kbyte MB89R118C 2Kbyte MB89R119B 256byte
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1KY32C07126、KY32C03126可软硬件直接替代ADuC7124BCPZ126、ADuC7126BSTZ126、ADuC7126BSTZ126I、ADuC7126BSTZ126IRL。 KY32C07126系列具有快速多通道12-bit逐次逼近型ADC,支持单端、差分和伪差分模式。ADC输入电压范围为0V至Vref,其中Vref可配置使用芯片Vrefpin,或片内2.5VBandGapReference。注意当配置为使用芯片Vrefpin提供ADC参考电压时,最大不超过AVDD5.5V。同时ADC可搭配温度传感器on-chipTemperatureSensor和电压比较器Voltagecomparator使用。
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3一、RS-485/422通讯接口芯片: 3V-5.5V输入电压范围,多数据速率可选,1/8单位负载,±30kVESD保护,±15V共模电压范围和±30V故障保护电压范围。CA-IF4820HS、CA-IF4820HM、CA-IF4820HD、CA-IF4820FS、CA-IF4820FD、CA-IF4820FM。 二、隔离接口 川土微隔离接口类芯片,高达5KVRMS的隔离电压,支持高达±30V共模电压范围和±70V故障保护电压范围,速率支持1Mbps。 隔离CAN--CA-IS3050G、CA-IS3050W、CA-IS3050U、CA-IS3052W、CA-IS3052G。 替代TI和ADI的ISO1042DW、ISO1042DWV、ISO1050DU、ADM3050EBRIZ、ISO1050DW
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0MB89R118C1-DIAP15-P1 HF band 13.56MHz , 2Kbyte内存 ISOIEC15693通信规格 1万亿次 以上稳定擦写 储器构成该产品由内置2K字节FRAM的内部存储器、2K字节的用户区、48字节的系统区构成,存储器按照每8个字节为1个Block来分配Block号,用户区从00H到F9H共256Block,系统区从FAH到FFH共6Block。表1所示为存储器的构成。针对用户区的特定Block,可通过命令指定Block地址进行读写操作。但针对存放芯片固有ID(64位UID)和各Block安全状态(Lock与否)等的系统区,则只能进行读出操作
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2SC1464是一款16通道16bit 1MSPS采样速率双路同步采样ADC。SC1464采用5 V单电源供电,可以处理±10 V、±5 V和±2.5 V真双极性输入信号,同时每对通道均能以高达1MSPS 的吞吐速率和92dB SNR采样。 应用场景: 电力线路监测 保护继电器 多相电机控制 仪表和控制系统 数据采集系统(DAS) SC1467GCOUMZ -40~85℃ LQFP-64 SC1464KCOUMZ -40~125℃ LQFP-80
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2TPU25401Q是一款集成5个Buck和5个LDO的PMIC,其输出电压、上下电时序均可自定义配置,适用于需要多路Buck和LDO的应用。其中Buck 1~Buck 4可提供0.6V~2.55V的可编程输出电压及最高4.5A的输出电流;Buck 5提供0.6V~3.8V的可编程输出电压及最高3.5A的输出电流。Buck 1和2、3和4可配置为双相合并模式以提供高达9A的输出电流。3路LDO每路可输出300mA电流,另两路LDO可输出10mA电流。同时,TPU25401Q还具有上电复位输出、输出电流限制保护、输出短路和过载保护以及过热保护等功
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0TPE15017是一个通过以太网(PoE)供电的设备(PD),集成PD接口和主动钳主侧调节(PSR)飞回电源转换器。该设备支持IEEE 802.3af标准接口和小型13-W隔离PoE应用程序的目标。 PD接口具有IEEE 802.3af的所有功能,包括检测、分类、涌入电流、运行电流限制和100-V热插拔MOSFET。
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11.性能改进 由于快速的写入速度,即使在突然停电的情况下,FeRAM可以保存写入数据。不仅如此,FeRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时,EEPROM和闪存需要高电压,从而比FeRAM消耗更多的功率。因此,通过使用FRAM,在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。 总之,FeRAM可以: 在突然停电时FeRAM可以保存写入数据 可以进行频繁的数据记录 可以延长电池供电设备的电池寿命 2.降低总成本 在工厂中将参数写入每个产品的情况下,由于FeRAM与EEP
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0亲爱的各位吧友:欢迎来到ousemi