铁电存储器吧
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    富士通车规级SPI接口铁电存储器 (用于高可靠性应用,符合AEC-Q100可靠性实验标准) MB85RS4MTY(AEC-Q100) MB85RS4MLY(AEC-Q100) MB85RS2MTY(AEC-Q100) MB85RS2MLY(AEC-Q100) MB85RS512TY(AEC-Q100) MB85RS512LY(AEC-Q100) MB85RS256TYA(AEC-Q100) MB85RS256TY(AEC-Q100) MB85RS256LYA(AEC-Q100) MB85RS128TY(AEC-Q100) MB85RS64VY(AEC-Q100)
    Ousemi 3-30
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    串行接口存储器的产品阵容有16Kbit至4Mbit的SPI接口产品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品。电源电压除主要的3.3V工作产品外,正在扩充1.8V工作产品。封装形式除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外,还提供可穿戴设备用SON(Small Outline Non-leaded package)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封装形式的产品。 同时,使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至4Mbit的并行存储器。在利用SRAM及数据保存用电池供电的应用中,并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池
    Ousemi 3-30
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    富士通MB85RS256B是FeRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置为32,768字8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。 MB85RS256B采用SPI 接口。
    Ousemi 3-20
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    富士通MB85RS256B, MB85RS256BPNF-G-JNE1,MB85RS256BPNF-G-JNERE1。 直接替代infineon/Cypress FM25L256,FM25V02A,FM25W256,FM33256B,CY15B286Q。
    Ousemi 1-8
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    富士通FRAM铁电 MB85R256FPNF-G-JNERE2 •位配置:32,768字*8位 •读写耐力:1012次/字节 •数据保留:10年(@85 95.c), 95年(@55 95.c),超过200年(@35 95.c) •工作电源电压:2.7 V ~ 3.6 V •低功耗:工作电源电流5ma (typp) 待机电流5uA(输入) •工作环境温度范围:<s:1> 40ºC至+85ºC •包装:28针塑料TSOP(1) 通过无铅认证RoHS
    HOBOSEMI 12-26
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    富士通半导体存储器解决方案有限公司(FSM)隶属于富士通器件方案事业部大规模集成电路部门,主要开发销售系统存储和解决方案,包含FeRAM(FRAM),电阻RAM(ReRAM),碳纳米管的非易失RAM(NRAM)。其中FeRAM分车规级、工业级,常用于汽车,仪表,无电池应用,RFID等场景。 四个重要特长非易失性 电源关闭时存储的数据不会消失 下电时不需要备用电池来保留数据 快速写入速度 启用无需擦除操作即可覆盖数据 无需等待时间进行擦除/写入操作 高读/写耐
    Ousemi 10-25
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    富士通MB85RS512T铁电存储器 DC一年内
    Ousemi 10-12
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    由于擦写速度快、耐擦写次数高,富士通内置FRAM的RFID芯片MB89R118C已经作为数据载体型被动 RFID 芯片而被全世界广泛采用。
    HOBOSEMI 10-12
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    MB85RS16,16Kb,2.7-3.6V,与FM25L16、FM25P16、FM25L04完全兼容 MB85RS64V,64Kb,3.0-5.5V,与FM25640、FM25040 完全兼容 MB85RS64,64Kb,27-3.6V,与FM25CL64完全兼容 MB85RS128B,128Kb,27-3.6V,与FM25V01完全兼容 MB85RS256B, 256Kb,2.7-3.6V,与FM25L256、FM25V02FM25W256完全兼容 MB85RS512T,512Kb,18-3.6V,与FM25V05和FM25W512完全兼容 MB85RS1MT1Mb,1.8-3.6V,与FM25V10完全兼容 MB85RS2MT: 2Mb,1.8-3.6V,与FM25V20、FM25H20完全兼容
    Ousemi 10-9
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    MB85RS4MT是富士通4M (512K*8) Bit SPI FeRAM(铁电随机存取存储器)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术进行成型非易失性存储单元。 MB85RS4MT采用SPI (Serial Peripheral Interface)接口。 MB85RS4MT与SRAM一样,能够在不使用备用电池的情况下保留数据。 MB85RS4MT中使用的内存单元可以用于10万亿个读/写操作,这是一个重要的数字 改进了闪存和E2PROM支持的读写操作的数量。 MB85RS4MT不像闪存或E2PROM那样需要很长时间写入数据,并且MB85RS4MT不需要等待时间。
    HOBOSEMI 10-6
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    富士通MB85R256F铁电存储器。 1800一2566一372
    HOBOSEMI 9-18
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    富士通FeRAM+RIFID LSI MB89R118C
    Ousemi 9-11
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    FM24CL64B-GTR电子元器件如何购买?_裕诚科汇
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    FM24W256-GTR铁电存储器报价大概多少钱?_裕诚科汇
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    MB85RC16PNF-G-JNERE1原装现货,富士通铁电FRAM代理商。富士通MB85RC16PNF,MB85RC16原厂现货。
    Ousemi 6-10
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    富士通MB85RC16PNF, 富士通MB85RC16, MB85RC16PNF-G-JNERE1原装正品。
    Ousemi 6-3
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    富士通Wafer,Fujitsu一级代理,MB89R118C
    Ousemi 5-31
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    富士通FRAM MB85RC04,MB85RC04V,上海本宏电子科技有限公司
    Ousemi 5-27
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    富士通FRAM铁电存储器 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RC64TAPNF-G-AWE2 MB85RC64TAPNF-G-AWERE2 MB85RC64TAPNF-G-JNE2 MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 MB85RC64TAPN-G-AMEWE1
    Ousemi 5-23
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    Part Number Density Org. Pkg. Voltage Temp MB85RC512TPNF-G-JNERE1 512Kbit 64Kx8 SOP-8 1.7 to 3.6V Industrial MB85RS512T 512Kbit 64Kx8 SOP-8 1.8 to 3.6V Industrial MB85RS512TPNF-G-AWE2 512Kbit 64Kx8 SOP-8 1.8 to 3.6V Industrial MB85RS512TPNF-G-AWERE2 512Kbit 64Kx8 SOP-8 1.8 to 3.6V Industrial MB85RS512TPNF-G-JNE1 512Kbit 64Kx8 SOP-8 1.8 to 3.6V Industrial MB85RS512TPNF-G-JNERE1 512Kbit 64Kx8 SOP-8 1.8 to 3.6V Industrial
    Ousemi 5-17
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    富士通铁电存储器FRAM正式一级代理商,MB85RC16,MB85RS64TA,MB85RC04V
    Ousemi 4-29
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    有没有想要采购赛普拉斯品牌芯片的朋友,留下VX
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    FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域,以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近年来,还被应用于可穿戴设备、工业机器人以及无人机中。 I2C接口 MB85RC1MT 1Mbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 10 MB85RC512T 512Kbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 10 MB85RC256V 256Kbit 2.7至5.5V 1MHz -40至+85℃ 10 MB85RC128A 128Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 10 MB85RC64TA 64Kbit 1.8至3.6V 3.4MHz -40至+85℃ 10 MB85RC64A 64Kbit 2.7至3.6V 1MHz -40至+85℃ 10 MB85RC64V 64Kbit 3.0至5.5V 1MHz -40至+85℃ 10 MB85R
    Ousemi 11-8
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    FM24CL16B-GTR FM24CL04B-GTR FM25L16B-GTR FM28V020-SGTR FM24CL64B-GTR FM25CL64B-GTR FM31L278-GTR FM24W256-GTR FM24V02A-GTR FM24V10-GTR FM25V10-GTR FM25V05-GTR FM25640B-GTR FM25W256-GTR 更多型号:http://www.ucciot.cn
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    武汉市裕诚科汇是一家电子元器件经销商,营业至今已有20余年。自2000年起从事电子元器件的经销,主营NXP、CPRESS、MAXIM、ADI、LEM、乐鑫等品牌产品线,提供一站式电子元器件采购及配单服务。 武汉市裕诚科汇科技有限公司:http://www.ucciot.cn 【QQ咨询:2257671058】
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    许多领域对电子元器件的使用需求非常高,这就导致电子元器件采购服务商也会迅速增加,而没有足够经验的朋友,肯定不知道与哪些服务商成为合作伙伴,才可以带来很好的体验了。我们到底该怎么做呢?如果买到假货要如何是好呢?继续看看以下内容,就会明白下一步该做什么了。 武汉市裕诚科汇科技有限公司:http://www.ucciot.cn 【QQ咨询:2257671058】 1、得到品牌官方授权的服务商 即便都是电子元器件采购服务商,也会在很多方面,有着明显的差别
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    串行I2C接口铁电存贮器 I2C Interface FRAM Memory 工业级:-40℃ ~ +85℃ MB85RC04VPNF-G-JNERE1 与FM24C04C和FM24C04B完全兼容 MB85RC16PNF-G-JNERE1 与FM24CL16B完全兼容 MB85RC128PNF-G-JNERE1 与FM24V01完全兼容 MB85RC64PNF-G-JNERE1 与FM24CL64和FM24CL64B完全兼容 MB85RC16VPNF-G-JNERE1 与FM24C16和FM24C16B/C完全兼容 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 与FM24C64和FM24C64B/C完全兼容 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 与FM24C256完全兼容,可兼容FM24W256 MB85RC256VPF-G-JNERE2 与FM24C256完全兼容,可兼容FM24W256 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 与FM24V05完全兼容 MB85RC1MTPNF-G-JN
    Ousemi 9-21
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    FARM铁电随机存储器,富士通可完全兼容替代替代Ramtron
    Ousemi 8-17
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    铁电存储器,低功耗,断电不丢数据,可替代eeprom
    Ousemi 8-17
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    富士通铁电随机存储器,fujitsu fram 一级代理。
    Ousemi 8-17
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    FRAM主要特点: 掉电保存 长寿命 速度快 功耗低
    Ousemi 8-17
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    国产新型铁电存储器 拍字节
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    Cypress铁电存储器,fujitsu富士通铁电存储器。
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    铁电存储器FRAM,读写快,功耗低,断电不丢数据,可读写次数高。
    Ousemi 5-30
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    FRAM铁电存储器,富士通,Ramtron(cypress铁电)
    Ousemi 5-27
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    贴点存储器FRAM, Fujitsu,infineon
    Ousemi 5-26
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    铁电存储器FRAM 是一种非易失性随即存储器, 融合了ROM和SRAM的优点, 具有快速写入,高读写耐久性,和超低功耗的特点。
    Ousemi 5-20
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    第一天进来
    Ousemi 5-20
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    亲爱的各位吧友:欢迎来到铁电存储器

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