今年2月16日，PUTIN到车里雅宾斯克锻压厂（ПАО «ЧКПЗ»），该厂在2020年与德国KUKA签署了一项为其本土代工生产工业机器人的合同。在德国人撕毁合同后，由俄罗斯机器人公司（ООО «Завод Роботов»）牵头，车里雅宾斯克锻压厂在今年量产第一款国产工业机器人——RusRobot RR-120-2900，其使用的控制系统和软件均为俄罗斯自研。


在此基础上，推出三个工程型号:6轴工业机器人"米阿斯"(Миасс)，重700公斤，活动半径2.35米，提升力60公斤。

6轴工业机器人"科佩伊斯克"（Копейск），重385公斤，活动半径2米，提升力30公斤

6轴工业机器人"兹拉脱乌斯特"（Златоуст），重量1.2吨，活动半径3米，提升力120公斤

狗度又在作妖吞帖了

被动去买办化，经济制裁受益者

莫斯科鲍曼技术大学宣部与杜霍夫全俄自动化研究中心(ВНИИА им. Н. Л. Духова)签署合同，开始在100毫米晶圆基础上批量生产超导量子处理器。由俄罗斯设计的必要生产设备将安装在2500平米的洁净车间内。俄罗斯量产超导量子处理器的工作自起始于2016年，核心为约瑟夫森超导电路，其被认为是用于创建高精度量子处理器和精确读取量子电路信号所必须的参数放大器领域最有发展前景的技术。

据开发人员说，在一片晶圆上可以制造数百个包含各种量子元件的芯片，目前工艺已经实现制造几十纳米制成线宽约瑟夫森结所需要的0.5纳米公差电路元件精度。

据称，国产超导量子芯片将满足莫斯科计划大幅提升Exaflops（每秒一百亿亿次以上浮点运算能力）超级计算机产能对协处理器的需求。

以下内容来自俄罗斯X射线光学领域专家尼古拉.伊万诺维奇.奇哈洛（Николай Иванович Чхало）关于俄罗斯无掩膜光刻机领域遇到的困难以及光刻机路线选择的讨论：
2022年末我写了一篇文章《俄罗斯28纳米制程无掩膜光刻机的研究工作已经完成，项目正在进入OKR阶段》，依据信息的主要来源是俄罗斯科学院微观物理研究所（ИФМ РАН）向联邦政府和总统提交的报告，其中特别提到：
开发成功基于13.5纳米波长激光的等离子体辐射源和微机电微镜组系统作为动态掩膜的X射线无掩膜光刻机验证样机。由400多个三镜片投影镜头组成，通过多重曝光，可达到20纳米光刻分辨率。
X射线无掩膜光刻机的基本原理已经得到验证，这使我们能够进入实验设计阶段开发用于小规模生产纳米级电路的光刻机。
然而，2023年3月10日，在萨罗夫举行的一个研讨会上，尼古拉.伊万诺维奇.奇哈洛做了一个类似报告《EUV光刻机：俄罗斯发展的原理、现状和路线》，结合早些时候在下诺夫哥罗德发表的另一份报告《X射线光刻的现状和发展前景》，参考这两份报告，就回答了发展传统EUV掩膜式光刻机的原因和无掩膜（直写式）光刻机遇到的困难。
根据尼古拉.伊万诺维奇.奇哈洛的说法，在研究框架内无法创建目前全世界范围内还未取得突破的两项关键技术。
其一是能够用于X射线光刻的MEMS镜头组件（微机电镜头组件）。其二是集成400个X射线镜头，这有可能做到。
开发MEMS镜头的工作最初项目代号“Филлит-А”，由俄罗斯科学院K.A.瓦利耶夫院士主持，该项目被称为“开发用于X射线无掩膜光刻机的微机电镜头动态掩膜技术验证机”，通过原子沉积将介电涂层镀到MEMS镜头上。但由于使用的德州仪器镜组表面粗糙度大，反射系数仅能达到20%，且镜头表面曲率大，导致图像失真。
其后开展的“Филлит-А2”项目，由ИФМ РАН在“Филлит-А”项目基础上进行，该项目被称为“用于X射线无掩膜光刻机光学器件技术可行性和方法验证”，在项目实施过程中，对镜头原子沉积涂层工艺、材料和厚度进行优化，得到18个具备原子沉积涂层的镜头和至少5个具有原子沉积涂层的硅晶片。然后这些系统没有获得期望的结果。
之后的“Филлит-А3”项目仍然以失败告终。
当时（2014年），ИФМ РАН试图与总部位于莫斯科的MAPPER公司（俄罗斯技术集团与荷兰MAPPER的合资企业，由莫斯科工厂提供核心微机电部件，专业生产无掩膜光刻机，2019年其母公司荷兰MAPPER被ASML收购）合作研发X射线MEMS镜头组件，获得了有趣的中期进展，但由于缺乏政府资金投入，该项目需要融资。
尽管在MEMS镜头组件受到挫折，尼古拉.伊万诺维奇.奇哈洛认为无掩膜光刻机是一项非常有前途的技术，目前遇到的问题只是MEMS镜头组件质量的问题，希望未来会成功。
顺便一提，早在2008年，ИФМ РАН就试图利用Imec的镜头镀膜为ASML提供此类MEMS，这批产品的反射系数达到40%，但由于镀膜后短路而失效了。
那么掩膜式光刻机的进度如何呢？
ИФМ РАН自2011年以来一直有一个试验性掩膜式光刻机样机，它用锡等离子体作为辐射源，提供13.5纳米波长光源。值得注意的是，2023年它的光源升级为11.2纳米波长氙气光源，镜头组也被替换以适应新的光源波长。
因此，在11.2纳米波长和钌铍（Ru/Be）镜头领域的研究正在取得进展。
结论：到2030年俄罗斯将投产EUV掩膜式光刻机，而不是X射线无掩膜光刻机，以前普遍认为无掩膜光刻机路线在技术上更容易实现，而目前看来反而是在传统掩膜式光刻机领域获得了更多技术进展，目前尚需解决的是工作台定位精度问题。

关于掩膜式和无掩膜直写式你可以理解为与机械加工领域模具冲压和切削加工类似的两种集成电路光刻方法。
掩膜投影式光刻机顾名思义就是使用类似底片的掩膜，通过光学系统，将掩膜图案缩小投影到涂抹光刻胶的晶圆上，形成曝光图案（现代芯片电路需要用多套掩膜进行多次曝光才能达到必要的制程），这样做的好处是整幅图案同时进行曝光，光刻效率高，成本低，适合大批量生产。但光刻机的结构复杂。掩膜制造成本高（作为“底片”的掩膜本身也需要用直写式光刻机制造，相当于“开模”。一套掩膜的成本需要几百万至上亿）。
无掩膜直写式光刻机就是不需要掩膜进行投影曝光，直接用光束（或者电子束）在晶圆上扫描光刻出图案，这种直接扫描出图案的速度很慢。所以需要几百个光学镜头形成阵列（也即上文提到的“动态掩膜”），同时进行扫描提高光刻效率。它就类似于机械加工领域直接用车铣切削出工件，生产效率不如采用“模具”的掩膜式光刻机，但优点是适合小批量生产和降低研发阶成本（省去了制造掩膜的“开模”成本），还能对晶圆上的局部缺陷进行修正，一般认为其光学部分结构可以比掩膜投影式光刻机更简单。

俄罗斯投产用于雷达的氮化镓功率器件。
在2023年夏，下诺夫哥罗德“礼炮”科研生产联合体以氮化镓为基础，进一步开发出一款用于短程防空导弹雷达的KA波段半导体高功率固态器件。根据官方消息新装置的平均功率为350W，峰值功率1KV，至少可以连续工作一整天。使用新功率器件的雷达，对小型无人机的发现距离可以达到10公里。
尽管尺寸小，器件还包括电源和通风冷却结构，碳素散热片提高了冷却效率。据开发人员说，新型氮化镓固态器件可以不依赖高压电源，获得更高的可靠性和电磁兼容性，并有效替换真空管雷达。

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