内存延迟 高速内存不可忽略的重要参数
内存条的SPD中一般会有一组数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,其中最重要的参数就是CL值。CL全称是 (Column Address Strobe Latency,一般缩写为CAS Latency,简写CL)。CAS意为列地址选通脉冲,CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间。在内存阵列中分为行和列,当命令请求到达内存后,首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay),数据被请求后需预先充电,一旦tRAS被激活后,RAS才开始在一半的物理地址中寻址,行被选定后,tRCD初始化,最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束的整个过程一般被称为CL延迟。
内存条的SPD中一般会有一组数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,其中最重要的参数就是CL值。CL全称是 (Column Address Strobe Latency,一般缩写为CAS Latency,简写CL)。CAS意为列地址选通脉冲,CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间。在内存阵列中分为行和列,当命令请求到达内存后,首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay),数据被请求后需预先充电,一旦tRAS被激活后,RAS才开始在一半的物理地址中寻址,行被选定后,tRCD初始化,最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束的整个过程一般被称为CL延迟。