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戴尔COO:下代英伟达B200功耗或高达1000W,25年问世
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冰晶炫耀
Matrox
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戴尔COO在股东大会上表示下代英伟达计算芯片B200的功耗有可能突破4位数(1000w)。预期将在25年问世。戴尔股票在周五也暴涨32%,创下新高
今年(2024)则会由B100领衔。考虑到H200de的tdp已经达到700w, 这并非不可能的事。
以此类推5090功耗将有望达到650W
(450w x 1.4286)。其原因或许为3纳米制程在高频和高密度下的能耗比差强人意有关(苹果A17PRO:勿call)
#amd#
#英伟达#
#显卡#
冰晶炫耀
Matrox
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目前英伟达的Ai路线图
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果子A17pro用的是23年n3b工艺,密度183mts/mm2,是差了点,nv如果今年底发布5090,现在产品就在性能验证阶段,年中就会进入量产阶段,那么使用的将会是n3e/n3p,或基于两者之一而来的定制3n工艺,密度在197-240mts/mm2之间,这个密度提升,虽然没有三丧8nm→tsmc 4n来得大,但也够用了,为了堆规模依然还会是大面积核心,同频15%的省电功耗全被规模和拉升频率又拉升上去了,考虑到nv的定价策略,性能提升幅度也要匹配得上,不然真当富哥是傻子了,这样一来,也只能三高:高功耗、高性能、高价格了
evanvirgo
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