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3D NAND基本存储单元Cell尺寸变化

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图片引用自 FMAR-102-1: 3D NAND Process Technology: 2023 & Beyond (by Dr. Jeongdong Choe, TechInsights)
3D NAND基本存储单元Cell的单元面积(相当于垂直通道的尺寸)
3D NAND基本存储单元Cell的单元体积(相当于单元的垂直厚度和横向尺寸的乘积)

值得注意的是,
由于各家原厂制造3D NAND使用的架构不同

主要分为两大类:电荷撷取CTF 和 浮动栅极FG
下图以铠侠和闪迪使用的BiCS 与 海力士的DC-SF为代表分别说明其结构

因此,将3D NAND基本存储单元Cell的单元尺寸与2D NAND的25nm、20nm、16nm进行类比是非常不严谨的
也请不要将单元尺寸强行与NAND的PE擦写次数和寿命简单挂钩。
最后,来一张3D NAND Die全家福


IP属地:湖北本楼含有高级字体1楼2023-12-10 19:02回复
    很专业,请问有没有原文地址?


    IP属地:广东来自Android客户端2楼2023-12-10 20:36
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      这是啥?


      IP属地:河南来自Android客户端3楼2023-12-10 20:39
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        专业,希望有详细讲解,重点是断电下电荷保存能力,就是冷数据能力


        IP属地:广东来自Android客户端4楼2023-12-10 20:46
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          这是本吧里面非常难得的好文章!楼主请多发点。


          IP属地:广东来自Android客户端5楼2023-12-10 21:21
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            漏电工艺


            IP属地:上海来自Android客户端6楼2023-12-11 00:03
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              专业的文章,bd


              IP属地:广东来自Android客户端7楼2023-12-11 00:21
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                好帖子,比js发的广告贴强太多了


                IP属地:山东来自Android客户端8楼2023-12-11 13:25
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