对于表面能高的晶面生长速度较快还是较慢的问题，存在两种不同的观点。一种观点认为，在晶体生长过程中，沿着具有高表面能的面组合而成的晶面其生长速率较快，而沿低表面能的面则生长得较慢。这是因为当一个晶面的表面自由能较高时，它有更多的能量驱动原子进行排列和扩展，从而促进该晶面的快速生长1)。例如，布拉维法则指出：晶体在生长过程中，晶面的生长速度与其面网密度一般呈反比关系2）。这意味着那些具有更高密度的、也就是需要更多原子参与的晶面（通常也是具有更高的表面能的）会有更快的生长速度。此外，法向生长速度的定义也与表面能有直接的关系3)，因为这指的是单位时间内晶面沿其法线方向向外推移的距离。显然地，如果一个晶面的表面自由能更高，那么它的法向生长速度也会更快。因此可以得出结论是表面能越高, 对应的晶面生长越快.然而另一种观点却持有相反的观点: 在某些情况下, 高表面能的晶面可能更容易发生超覆等变化而导致消失4), 所以很多晶体在成长的过程中最后剩下的都是一些低表面能量的晶面5).这种看法是基于实验观察到的现象提出的, 它并没有否定高表面能会促使某个特定晶面快速增长的可能性, 但强调了其他因素如动力学过冷可能会对最终结果产生影响6) 。所以从实际观测来看, 最后的结果并不一定总是符合理论预期7）. 这说明在一些特定的条件下(比如动力学过冷的驱动力较大8), 可能存在着某种平衡或竞争机制导致高表面能的晶面未必占据主导地位9)。这也提醒我们在理解和解释这些复杂系统时要考虑到多种因素的影响而不是仅关注单一变量.

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又看了看层生长之类的模型，感觉就是表面能越大越容易择优而快速生长啊

快，你自己不都写了原因了