在晶圆Wafer制造领域中，导热垫片起着很大的作用，那么氮化铝陶瓷为何可以在晶圆Wafer制造领域中有一席之地呢？
理论上，一个最为理想的导热垫片应该具备以下几个要求：“高导热系数”、“低模量硬度”和“工艺的实现度”。虽然这三个要素很难同时达成，但在实际生产中，起码也要满足第一条，不然还有什么脸叫“导热垫片”呢？
在导热垫片中，导热性远大于基质材料的导热填料是其主要的导热载体。填料在应用时很关键的一点是它的填充量——当填充量比较小时，每个填料颗粒彼此离散，不能形成有效的热量通路，此时导热率非常低；而当填充量达到一个临界点时，填料之间开始有了相互接触和作用，在体系中形成类似链状和网络的结构，称为导热网链。当这些导热网链的取向与热流方向平行时，就会在很大程度上提高体系的导热性。
因此对于导热复合材料而言，实现更高导热系数的关键就是添加更多的导热填料，保证能在导热垫片的两个界面之间能搭起一个传导热量的走廊。但是！导热填料的添加量是有上限的，到达一定程度后，不管再加多少它的导热率都不会有太大的变化，会继续变化只有垫片的硬度。
所以为了得到更高导热率的导热垫片，就需要靠更高导热率的填料。氮化铝陶瓷（AlN）就是在这种情况下脱颖而出的，不仅导热率远超氧化铝等传统填料，热膨胀系数小，而且还是电绝缘体，介电性能良好，是晶圆Wafer制造领域领域不可多得的导热干将。