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讨论下所谓的tlc 模拟mlc,还有所谓的工作在2bit 模

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讨论下所谓的tlc 模拟mlc,还有所谓的工作在2bit 模式下的nand 的寿命到底有没有提升


IP属地:山东来自Android客户端1楼2020-02-17 07:06回复
    看到某位巴虫说过 970pro 是tlc工作在2bit 模式下,mlc 的速度,tlc 的寿命,特意查阅了一翻资料。


    IP属地:山东来自Android客户端2楼2020-02-17 07:07
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      1。nand 颗粒是mlc 还是tlc 由主控决定,同时颗粒的读写驱动器必须支持 2bit 和3bit 读写。如果颗粒读写驱动器只支持2bit 这就是所谓的纯mlc。


      IP属地:山东来自Android客户端3楼2020-02-17 07:10
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        2。颗粒读写寿命相关的 一个重要部件 二氧化硅绝缘层(记得三星在这一块有自家技术,寿命提升了很多)。每次写入数据的时候 会进行”隧穿”,mlc的存储单元 存储4种电荷,tlc的存储单元 存储8种电荷。tlc的存储单元存储的数据(8种电压状态 3bit)比mlc多,相同存储单元数量的前提下,存入相同大小的数据,tlc 的隧穿次数比mlc 多,对绝缘层的磨损更多。(相同存储容量的话 比如都是512g ,mlc 的存储单元比tlc多)


        IP属地:山东来自Android客户端14楼2020-02-17 07:52
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          综上所述,所谓的tlc模拟 mlc 和工作在2bit模式下的 三星v-nand 和所谓的纯mlc 寿命 没区别,吊打3bit 的。


          IP属地:山东来自Android客户端15楼2020-02-17 07:55
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