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0AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H:750V 高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管 型号:AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 封装:PG-HDSOP-22 类型:MOSFET 晶体管 星际金华,明佳达供应,回收AIMDQ75R016M1【SiC MOSFET 晶体管】AIMDQ75R040M1H 一、描述: AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 是一款高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管,具有最佳的系统性能和可靠性。 二、产品属性: FET 类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):750V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A(Tc) 功率耗散(最大值):384W(Tc) 工作温
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00000000000一、NTMFS4C020NT1G:30V 逻辑电平 N 通道 表面贴装型 产品说明:NTMFS4C020NT1G是一款30V 单 N 沟道功率 MOSFET晶体管。 产品属性: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A(Ta),303A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),134W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 星际2MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是两种不同类型的功率器件,它们在不同的应用场景中具有不同的特点。以下是有关它们的一些信息以及在选择时需要考虑的因素: MOSFET: - 电压范围:MOSFET通常用于低至几伏特(V)到数百伏特的电压范围内的应用。一些高电压MOSFET也可以达到千伏以上的电压等级,但这通常是高端市场和特殊应用。 - 电流范围:MOSFET适用于低至毫安级别的小电流应用,也适用于几十安到几百安的00000000000介绍 1、IAUC120N06S5N017表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Tj) 167W(Tc) PG-TDSON-8-43 系列: OptiMOS™ FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :120A(Tj) 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.4V @ 94µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 95.9 nC @ 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6952 pF @ 30 V 功率耗散(最大值): 167W(Tc) 工作000STD10P6F6,NCE01NP03S,NCE15P25*,AOTF4185,AOTF409,AOD4189 AOD413A,IPB320P10LM,IPB330P10NM,MTB160P10KN6,MTE160P10L3 STN3P6F6,STN3P10F6,DMP10H400SE,DMP6023LE,DMP6023LSS 我司专业做MOS管,长期应用在无刷电机,逆变器和新能源等行业应用。 半导体KORSUN_科晟半导体_MOS_场效应管 (http://www.ks-semi.com)01) 耐压余量大:保证器件在低温至-40℃时,仍能100%保证耐压大于额定电压的要求;为器件工作在户外或极寒工况下,提供最大保障; 2) 器件结温高:允许的瞬态最大工作结温175℃,为系统瞬态过载提供更大的安全余量; 3) 可靠性强:产品不仅可以通过常规的可靠性考核项目,还可以满足最大结温下的100%偏压HTRB\HTGB考核和更严苛的HV-H3TRB考核,保障器件在高温、高湿等恶劣工况下的稳定工作。 NCE3N170T 工业级 VD MOS New TO-247 N 1700 2.9 4 6 33 187 NCE3N150T02STD10P6F6,NCE01NP03S,NCE15P25*,AOTF4185,AOTF409,AOD4189 AOD413A,IPB320P10LM,IPB330P10NM,MTB160P10KN6,MTE160P10L3 STN3P6F6,STN3P10F6,DMP10H400SE,DMP6023LE,DMP6023LSS 我司专业做MOS管,长期应用在无刷电机,逆变器和新能源等行业应用。 半导体KORSUN_科晟半导体_MOS_场效应管 (ks-semi.com)2STD10P6F6,NCE01NP03S,NCE15P25*,AOTF4185,AOTF409,AOD4189 AOD413A,IPB320P10LM,IPB330P10NM,MTB160P10KN6,MTE160P10L3 STN3P6F6,STN3P10F6,DMP10H400SE,DMP6023LE,DMP6023LSS 我司专业做MOS管,长期应用在无刷电机,逆变器和新能源等行业应用。0000000000MOSFET产品已经成熟稳定。该产品具有多种特点,具有高电导率、低内阻、响应速度快等特点,能够满足不同领域的需求。该产品能够广泛应用于功率变换器、直流电机控制、送电电路控制、电子灯等行业,为大众提供清洁、高效、安全的产品。我们的MOSFET产品精工细作,耐用可靠,具备超高的性价比,并能够满足您的不同需求,并在使用过程中稳定可靠,保证安全电压的传输,保护您和您的电器设备的安全。 我们的MOSFET产品有多种型号,适用于不同00MOSFET代表金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它是一种广泛用于电子器件中的半导体器件,常用于电子电路中的开关和放大功能。MOSFET是许多数字和模拟电路的重要组成部分,也在各种应用中扮演着关键角色。 MOSFET由几个关键部分组成: 1. 金属门极(Metal Gate):金属门极是MOSFET的控制极,用于施加控制电压以控制通道的导电性。改变门极电压可以控制MOSFET的导通和截止状态。 2. 氧化物层(Oxide Layer):氧化物00- TRinno Technology 提供从 200V 到 900V 的各种平面 MOSFET 产品。 - 还有RFD MOSFET 型号:TDAF30A65 百度搜索:浮思特科技,联系我们,欢迎询价。00- TRinno Technology 提供从 200V 到 900V 的各种平面 MOSFET 产品。 百度搜索:浮思特科技,联系我们,欢迎询价。