SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23 应用简介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。 其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。 常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。 优势：低导通电阻：减少功耗，提高效率。 可靠性：VBsemi作为知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可

SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23 应用简介：SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。 其低导通电阻能够有效减少导通损耗，适用于高效率的电路设计。 常用于电源管理、DC-DC转换等领域，如适配器、电池充电器等。 优势:低导通电阻：具有低的导通电阻，降低功率损耗和热量产生。 可靠性：VBsemi

RJP020N06T100 (VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。 应用简介：RJP020N06T100适用于电源开关和电机控制等应用。 其低导通电阻和高耐压特性使其在高功率场景中表现出色。 适用领域与模块：适用于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块，特别适合高功率要求的场景。

NTD5806NT4G 参数：N沟道, 40V, 50A, RDS(ON), 12mΩ@10V, 14mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.78Vth(V); TO252； 应用简介：NTD5806NT4G是一款N沟道MOSFET，专为高电流要求的应用而设计。 其极低的导通电阻（RDS(ON)）使其在高功率应用中表现出色，能够降低能量损耗和热量产生。 常见于电源管理、DC-DC转换器以及其他需要高效电能转换的电路中，如电机驱动、功率放大等领域。 优势：极低导通电阻：NTD5806NT4G具备出色的导通特性，从而减少了导通损耗和热量产生，提升了效率。 可靠性：

IRLR9343TRPBF (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。 应用简介：IRLR9343TRPBF适用于功率开关和逆变器等应用，常见于电源管理、电机驱动和稳压等领域模块。 其能够处理较大电流和电压，适用于高功率需求场景。

IRFR9024NTRPBF (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。 应用简介：IRFR9024NTRPBF是一款用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。 其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。 优势与适用领域：具备较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。

IRF7341TRPBF (VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。 应用简介：IRF7341TRPBF适用于高效率开关和电流控制等领域。 其双沟道设计和低导通电阻使其在多路信号控制中表现出色。 适用领域与模块：适用于高效率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合多路信号控制的场景。

FDS8926A-NL (VBA3328)参数说明：2个N沟道，30V，6.8/6.0A，导通电阻22mΩ@10V，26mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.73V，封装：SOP8。 应用简介：FDS8926A-NL适用于逻辑级信号开关和电流控制等领域。 其双沟道设计和低导通电阻使其在多路信号控制中表现出色。 适用领域与模块：适用于逻辑级信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合多路信号控制的场景。

FDN302P-NL (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。 应用简介：FDN302P-NL适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。 其中等功率特性使其在中高功率应用中表现出色。 适用领域与模块：适用于电源开关、稳压和逆变器等领域模块，特别适合中等功率要求的场景。

DMG1012T (VBTA1220N)参数说明：N沟道，20V，1A，导通电阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压0.6V，封装：SC75-3。 应用简介：DMG1012T适用于低功率应用，如信号开关和电流控制。 其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。 适用领域与模块：适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合要求节省空间的场景。

BSS308PE (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。 应用简介：BSS308PE适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。 其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。 适用领域与模块：适用于电源开关、稳压和逆变器等领域模块，特别适合要求低功率损耗的场景。

BSP030 参数：N沟道, 30V, 7A, RDS(ON) 25mΩ@10V, 38mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.5Vth(V), SOT223 应用简介：BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道MOSFET。 其低导通电阻和高电流能力使其在高功率开关控制中表现出色。 常用于电源开关、马达控制等。 优势：适用于高电流负载：适用于高电流负载的开关应用。 低导通电阻：具备低导通电阻，有助于降低能量损耗。 适用模块：BSP030适用于需要高电流开关控制的模块，如电源开关模块、马达控制模块等。

APM4826KC-TRG (VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8。 应用简介：APM4826KC-TRG适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。 其较大的电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。 优势与适用领域：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。 较大的电流承载能力满足大电流需求。

本文从栅极浮空的现象、影响以及它的解决方法这三个方面进行讲解。 关于栅极浮空的概念 栅极浮空，顾名思义，就是 MOS 管的栅极不与任何电极相连，处于悬浮状态。在这种状态下，栅极电压为零，MOS 管的导通特性会发生变化（当 Vg（栅极电压）输入高电平时，N 管会导通，使得 P 管的栅极为低，从而让 P 管的 DS（漏源）导通。相反，当 Vg 为高阻态时，Vout（输出电压）输入不定，检查发现 P 管的栅极电压变化不定） 但是，并非所有 MOS 管的栅极都

STM32F779IIT6是ST(意法半导体)的型号属于32位MCU微控制器，采用高性能Arm®Cortex®-M7 32位RISC内核，工作频率高达216MHz。Cortex®-M7内核具有浮点单元(FPU)，支持Arm®双精度和单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。 STM32F779IIT6包含高速嵌入式存储器，闪存容量高达2M字节、512 KB SRAM(包括用于关键实时数据的128 KB数据TCM RAM)、16 KB指令TCM RAM(用于关键实时例程)、4 KB备份SRAM，以及连接到两条APB总线、

亲爱的意法半导体吧的吧友们：大家好！ @VBsemi-MOS 为本吧吧主候选人得票最多者，共计0张真实票数，根据竞选规则，官方最终批准其成为本吧正式吧主。公示期三天。 吧主上任后，请严格遵守吧主协议 https://tieba.baidu.com/mo/q/newapply/rule?from=task，履行吧主义务，积极投身本吧的发展建设，也请广大吧友进行监督。如出现违规问题，请至贴吧反馈中心进行反馈或者投诉http://tieba.baidu.com/pmc/reportBazhu

申请人：@VBsemi-MOS 申请感言：贴吧结构调整内容优化

什么是MOS管亚阈值电压？ 我们知道经常会提及MOS管的阈值电压，那亚阈值电压大家是否熟知呢？简单来说，栅极电压低于阈值电压,半导体表面仅仅只是‘弱反型’时，相应的漏极电流称为亚阈值电流。这里提及一下: （弱反型，半导体表面的少数载流子浓度大于等于表面的多数载流子浓度，但远小于体内的多数载流子浓度时的状态。） 在亚阈值区，对于漏极电流起决定作用的是载流子扩散而不是漂移。漏极电流可以用 推导均匀掺杂基区的双极晶体管

当涉及到使用NMOS和PMOS进行高端驱动时，我们可以考虑一个简单的情况：使用MOSFET来控制一个LED的开关。 情景：LED开关控制 当涉及到使用NMOS和PMOS进行高端驱动时，我们可以考虑一个简单的情况：使用MOSFET来控制一个LED的开关。 情景：LED开关控制 假设我们有一个电路，需要使用MOSFET来控制一个LED的开关。LED需要从电源VCC（例如5V）接通和断开。 高端驱动情况（使用NMOS）： 在这种情况下，我们希望当控制信号为高电平时，LED接通，即LED亮起。 我们可

MOS管中漏电流产生的主要六大原因 我们知道，漏电流会导致功耗，尤其是在较低的阈值电压下。下面我们来了解在MOS管漏电流找到的主要的六大原因。 1.栅极电流 栅漏电流：MOSFET中漏极电流产生的原因是由于材料或制造工艺的不完美导致的。例如，MOSFET内部的绝缘层可能具有缺陷，导致绝缘层不完全阻挡漏极电流。栅漏电流通常由绝缘层（如氧化铝）覆盖，然而，这种绝缘层并不是完全不导电的，栅极和漏极之间的绝缘层存在缺陷或漏电导致的电流

SiC MOSFET 凭借着耐高压、耐高频、耐高温等独特优势，受到许多人关注。在电子应用中经常会出现短路问题，今天微碧VBsemi就 SiCMOSFET的短路检测情况进行展开了解。 常见的SIC MOSFET的短路类型有两种：软开关短路和负载短路故障。 软开关短路：在开关操作过程中，由于某种原因导致开关器件无法及时断开电流，从而导致电流在开关器件上持续流动，出现短路现象。 负载短路故障：负载端突然出现短路。由于负载器件损坏、接线错误或外部环境影响等

MOS管工作原理 MOS 晶体管的工作状态主要可以分为四个：开通过程、导通状态、关断过程和截止状态。 在开通过程中，MOS 晶体管从截止状态转变为导通状态，这个过程中会产生开关损耗。在导通状态下，MOS 晶体管可以正常工作，这个状态下的损耗主要是导通损耗。在关断过程中，MOS 晶体管从导通状态转变为截止状态，这个过程中也会产生开关损耗。在截止状态下，MOS 晶体管不导电，只有极小的漏电流，这个状态下的损耗主要是截止损耗。 一般来说

用最简单的方式带你了解 MOS 管的七大封装类型！ 微碧VBsemiVBsemi微碧2023-08-11 17:26发表于广东 在制作 MOS 管之后，需要给 MOS 管芯片加上一个外壳，这就是 MOS 管封装。MOS 管封装不仅起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可以为芯片提供电气连接和隔离，从而将管器件与其他元件构成完整的电路。为了更好地应用 MOS 管，设计者们研发了许多不同类型的封装，以适应不同的电路板安装和性能需求。 下面，我们将向您介绍常见的七种 MOS 管封装类型：DIP、T

近年来，随着智能家居、物联网、电动汽车等产业的迅速发展，半导体行业迎来了前所未有的机遇。作为其中的重要组成部分，中低压 MOS 管市场需求不断增长，市场前景十分广阔。 根据市场调查数据显示，目前中低压 MOS 管市场主要分布在消费电子、工业控制、汽车电子、通信等领域。其中，消费电子市场占比最大，达到 40% 以上。随着人们对环保、节能、智能化等要求的提高，中低压 MOS 管在这些领域的应用也将逐步扩大。 首先，我们需要了解一

本文将介绍大容量充放电管理模块 MOSFET 的选型及应用，帮助读者更好地理解和掌握这一技术。 一、大容量充放电管理模块MOSFET的原理 大容量充放电管理模块 MOSFET，即电池充放电保护电路模块（protection circuit module，PCM），是锂离子电池包中负责管理和保护电芯充放电的关键元件。它主要由控制电路、功率管以及其他电子元件组成，通过对电芯的充、放电进行管理，实现高效、安全的能源管理。 在锂离子电池包内部，电芯和输出负载之间需要串联功

微碧半导体受邀参加2023慕尼黑华南电子展，并诚邀全球各地对MOS管感兴趣的客户一同前去展会洽谈合作 近年来，随着科技的迅猛发展，电子产业成为推动经济增长的重要引擎。作为电子行业的重要组成部分，半导体技术的进步和创新对于推动整个行业的发展起到了至关重要的作用。在此背景下，我们自豪地宣布，微碧半导体（VBsemi）荣幸地受邀参加2023慕尼黑华南电子展（electronica South China）。 作为国家级高新技术企业，微碧半导体成立于2003年，专

【意法半导体（STMicroelectronics，简称：ST）公司简介】 意法半导体（STMicroelectronics）意法半导体以业内最广泛的产品组合著称，凭借多元化的技术、尖端的设计能力、知识产权组合、合作伙伴战略和高效的制造能力，通过提供创新型半导体解决方案为不同电子应用领域的客户提供服务。其产品有分立二极管与晶体管，复杂的片上系统(SoC)器件，包括参考设计、应用软件、制造工具与规范完整的平台解决方案等3000多种。来源：https://www.icanic.cn/jinkou/ST.html

MOS管是一种常见的场效应管，其栅极电压的大小对其工作状态有着重要的影响。在工程实践中，有一些应用需要将MOS管的栅极电压加到较高的电压，比如15V。那么，什么样的MOS管栅极能承受15V电压呢？本文将围绕这个问题展开讨论，并提出使用微碧半导体（VBsemi）的MOS管的建议。 首先，我们需要了解MOS管的结构和工作原理。MOS管由源极、漏极和栅极组成，其中栅极与漏极之间的电场通过栅极电压控制漏极电流。在正常工作状态下，MOS管的栅极电压通

微碧半导体受邀参加2023慕尼黑上海电子展，这是一场电子行业的盛会，也是一个展示未来科技的创新平台。展会将于2023年7月11日至13日在国家会展中心（上海）举办，微碧半导体将在展会上展示其最新的MOS管产品，并诚邀全球各地对MOS管感兴趣的客户一同前往展会洽谈合作。 作为一家国家级高新技术企业，微碧半导体成立于2003年，专注于MOSFET晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持等业务。公司以股份制企业形式运营，台湾控股65%，大陆持股

对上留言，大力支持 ASM330LHHTR STM32F030C8T6 STM32L431RCT6 STM32G070RBT6 VNH5180ATR-E STM32F429IGT6 V 130 6309 0285

优势出 对上来 SY56011RMG MP3924GU-Z ST1S14PHR LPC2103FBD48 S9S12G64F0MLF MMPF0100F0AEP USB2250-NU-06 MCIMX257DJM4A STM32H743VIT6 MT9V034C12STM FS32K116LFT0VLFT AT90CAN128-16AU ATXMEGA128A1-AU ATXMEGA64A1U-AU SQM100P10-19L_GE3 AT91SAM7X512B-AU 5SGXMA3H2F35C3G MCIMX7D5EVM10SD AD5142BRUZ10-RL7 FS32K144UAT0VLLT CY8C29666-24LTXIT MAX17823BGCB/V+T NJW4750MHHT1-TE1 SQJ407EP-T1-GE3 SN65LVDS93BIDGGRQ1 LCMXO2-1200HC-4TG144I MLX92211LSE-AEA-000-RE MLX90393ELW-ABA-011-RE MLX91220KDC-ABR-050-RE

求购STP45N65M5，有货的请联系。

钜泉光电MCU HT655X系列对标ST的STM32F407ZGT6，高资源，高性价比，直接兼容替代； 钜泉正式授权代理商：1800-2566-372